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影响结晶的因数及结晶过程控制
更新时间:2017-06-10 点击:510

影响结晶的因素主要有以下几点: 1、浆料的过饱和度,这个主要由温度来控制,温度越低过饱和度越低。过饱和度越大,则,产生晶核越多,结晶体粒径越小。 2、停留时间,时间越长,则产生的结晶体粒径越大。停留时间与液位有关,液位越高,停留时间越强。 3、容器的搅拌强度,搅拌越强,容易破碎晶体,结晶体粒径越小 4、杂质成分,杂质成分较多,则比较容易形成晶核,结晶体粒径越小。 结晶过程控制: 1、维持稳定的过饱和度,防止结晶器在局部范围内(例如蒸发面、冷却表面、不同浓度的两流股的混合区内)产生过大的过饱和度。 2、尽可能减低晶体的机械碰撞能量及几率。 3、结晶器液面应保持一定的高度,如果液面太低,会破坏悬浮液床层,使过饱和度越过介稳区,产生大量晶核。 4、应防止系统带气,否则会破坏晶浆床层,使液面翻腾,溢流带料严重。 5、应限制晶体的生长速率,即不以盲目提高过饱和度的方法,来达到提高产量的目的。 6、可对溶液进行加热、过滤等预处理,以消除溶液中可能成为过多晶核的微粒。 7、从结晶器中及时移除过量的微晶。产品按粒度分级排出,使符合粒度罢求的晶粒能作为产品及时排出,而不使其在器内继续参与循环。 8、将含有过量细晶的母液取出后加热或稀释,使细晶溶解,然后送回结晶器。 9、母液温度不宜相差过大,避免过饱和度过大,晶核增多。 10、调节原料溶液的pH值或加入某些具有选择性的添加剂以改变成核速率。 11、操作工应认真负责,在结晶操作上要勤检查、稳定工艺,保证生产在******程序下进行。

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